根据碳化硅肖特基二极管半导体物理结构,在测量碳化硅二极管特性参数的基础上研究其静、动态性能及计算机仿真模型。针对其低的通态电阻、反向阻断电压高、高频率、存储电荷少的特点,在适合其应用的太阳能最大功率跟踪电路以及作为IGBT器件的续流二极管电路上研究了其反向恢复特性及对电路效率的提高。实验结果验证了模型的准确性与应用的优越性。
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