用金属氧化物半导体(MOS)晶体管模型取代传统Colpitts混沌振荡电路中的三极管模型,提出了一种基于MOS管的Colpitts混沌振荡电路.通过合适的归一化方法,得到了与基于三极管电路类似的状态模型.平衡点的指标说明两种结构产生混沌的机理并不相同.然后,通过参数反演,得到了详细的电路参数,并用Pspice软件仿真得到了混沌吸引子和混沌信号的频谱图,说明了此结构可在低电压下工作并且能产生高频率的混沌信号.最后,用误差反馈的方法实现了这种结构的同步.
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