本发明公开了一种经图案优化的LED芯片的图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的正三棱锥组成,正三棱锥的倾角α为60°~65°；相邻正三棱锥的间距d为所述正三棱锥的边长a的1~1.4倍。本发明还公开了包括上述的经图案优化的LED芯片的图形化衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,正三棱锥图形符合GaN的晶格结构,实际加工容易获得目标图案,便于推广应用。
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