多倍频程GaN分布式功率放大器的设计与实现

作者：谢晓峰; 肖仕伟; 沈川; 吴尚昀

来源：微波学报, 2013, (04): 74-77.

DOI：10.14183/j.cnki.1005-6122.2013.04.006

• GaN
• 分布式放大器
• 宽带
• 功率放大器 GaN
• distributed amplifier
• wideband
• power amplifier

分布式放大器结构是一种能够实现极宽带宽的放大电路结构。不过由于晶体管自身功率密度的限制,分布式放大器大多用于小信号放大器的设计中。第3代宽禁带半导体GaN具有击穿场强高、输出功率密度大的优点,随着GaN晶体管的发展成熟,将其应用于分布式放大器结构中能够实现宽带功率放大器。本文采用4个GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)分立器件进行分布式功率放大器设计,并以混合集成电路工艺加工,实现了0.3～2.5GHz的多倍频程宽带功率放大器。最终得到的测量结果显示,功率放大器在0.3～2.5GHz的频带内,饱和输出功率大于39dBm,线性增益大于8dB,最大PAE大于15%。

• 出版日期2013
• 单位中国工程物理研究院; 中国工程物理研究院电子工程研究所; 中国工程物理研究院研究生部