AlN能带及态密度的密度泛函理论研究

作者：王腊节; 聂招秀; 刘德政

来源：四川理工学院学报(自然科学版), 2010, 23(04): 411-413.

• AlN
• 能带
• 能隙
• 密度泛函理论

文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了A lN晶体的能带结构和态密度曲线。研究表明,A lN的价带由-15.3eV-12.3eV的下价带和-6.2eV0eV的上价带区组成,价带顶出现三个子带:简并的重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合所分裂出来的劈裂带(距带顶0.2eV);导带主要是由A l的3s、3p态电子和N的2p态电子构成的;理论预测A lN价带空穴具有大的有效质量;A lN是一种直接宽禁带半导体,带隙为4.7eV,比较起来该结果优于一些文献中的计算值。

• 出版日期2010
• 单位数理学院; 重庆大学; 南昌大学共青学院