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摘要
利用双势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度．采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好，由此得到朗道能级模型态密度．根据拟合自洽地给出了二维浓度、费密能级、子带能量和有效Ｌａｎｄｅ因子随磁场振荡变化的规律．
- 出版日期1994
- 单位中国科学院半导体研究所
利用双势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度．采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好，由此得到朗道能级模型态密度．根据拟合自洽地给出了二维浓度、费密能级、子带能量和有效Ｌａｎｄｅ因子随磁场振荡变化的规律．
