科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法,将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来,利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优,找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量,从而节省人力物力,同时节省时间成本。
- 出版日期2016-9-26
- 单位佛山市中山大学研究院; 中山大学
本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法,将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来,利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优,找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量,从而节省人力物力,同时节省时间成本。
