该文应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术系统地观察，并从能量分析了微型４０ｎｍ厚度ＮｉＦｅ薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中，磁畴结构的特性和变迁过程．研究表明，元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果．
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