低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体

作者：刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (08): 967-971.

• 硅
• 铁
• 低能离子束
• 重掺杂 silicon
• iron
• low energy ion beam
• heavily doping

利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体...

• 出版日期2004
• 单位中国科学院半导体研究所; 中国科学院力学研究所