分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

作者：梁基本孙殿照陈宗圭黄运衡孔梅影

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1986, (06): 658-660.

• 空穴浓度
• 分子束外延
• 迁移率
• 国产材料
• 平整光洁
• 外延层
• 掺杂剂
• 经验曲线
• 受主能级
• 光学性质

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进...

• 出版日期1986
• 单位中国科学院半导体研究所