4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管静态特性

作者：苗志坤; 李天琪; 徐立坤

来源：电子科技, 2013, (08): 26-29.

DOI：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2013.08.023

• 结势垒肖特基二极管
• 导通压降
• 击穿电压
• 反向漏电流 junction barrier schottky rectifier
• forward voltage drop
• breakdown voltage
• reverse leakage current

为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有SiO2间隔的结势垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行了仿真研究。通过优化参数来改善导通压降(VF)-反向漏电流(IR)和击穿电压的折衷关系。室温下,沟槽深度为2.2μm时,器件的击穿电压达到1 610 V。正向导通压降为2.1 V,在VF=3 V时正向电流密度为199 A/cm2。为进一步改善器件的反向阻断特性,在P型多晶硅掺杂的有源区生成一层SiO2来优化漂移区电场分布,此时改善的器件结构在维持正向导通压降2.1 V的前提下,击穿电压达到1 821 V,增加了13%。在1 000 V反向偏置电压下,...

• 出版日期2013
• 单位哈尔滨工程大学