建立了考虑电子散射、输运、俘获和自洽场的数值计算模型,研究了高能电子束照射下绝缘厚样品的泄漏电流特性,并采用一个实验平台测量了泄漏电流.结果表明:在电子束持续照射下,电子总产额会下降;由于电子在样品内部的输运,样品近表面呈现微弱的正带电,在样品内部呈现较强的负带电;样品内部电子会向下输运形成电子束感生电流,长时间照射下会形成泄漏电流;随着照射,泄漏电流逐渐增大并趋于稳定值;泄漏电流随样品厚度的增大而减小,随电子束能量、电子束电流的增大而增大.
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