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摘要
本发明公开了一种Al-AlN复合封装基板及制备方法,所述制备方法包括以下步骤：铝基体的表面预处理：将铝基体表面进行磨抛处理,随后进行超声波清洗并吹干；表面制备过渡层：将预处理后的基体和高W合金粉末放入球磨罐中,进行2h的表面机械纳米合金化处理,其中高W合金粉末由W粉与Al、Ni、Cu、Ti等元素中的一种按照一定比例组成；表面制备氮化铝涂层：将带有高W合金涂层的样品与氮化铝粉末以及球磨助剂同时放入球磨罐中,进行1-3h的表面机械合金化处理,其中球磨助剂为CaO、MgO、Y2O-3和La2O-3中的一种或多种混合。该Al-AlN复合封装基板同时具备良好的导热性和优异的绝缘性,可为大功率芯片封装基板材料提供新的选择。
- 出版日期2023-3-23
- 单位合肥工业大学
