单层硅Si_6H_4Ph_2的稳定性和电子结构密度泛函研究

作者：宋健; 李锋; 邓开明; 肖传云; 阚二军; 陆瑞锋; 吴海平

来源：Acta Physica Sinica, 2012, (24): 445-450.

• 单层硅Si6H4Ph2
• 稳定性
• 电子结构
• 密度泛函 single layer Si6H4Ph2
• stability
• electronic structure
• density functional calculations

采用密度泛函计算方法,研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构.通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究,揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理.通过电子结构研究,发现Si6H4Ph2与Si6H6类似,显示间接带隙半导体性质.

• 出版日期2012
• 单位南京理工大学