一种单原子层的二硫化钨二维材料及其逆向物理气相沉积的制备方法和应用

摘要

本发明属于压电子技术领域，公开了一种WS2二维材料及其制备方法和应用。该WS2二维材料是将分别装载WS2粉末和清洗的SiO2/Si衬底放置的加热区的中央和边缘处；通入惰性气体，气流的方向为从衬底流向WS2粉末的方向，以55～60ml/min通气排尽空气，当至1080～1090℃时，改变惰性气体的流向；当至1000～1200℃时，流速为30～100ml/min；降温至900～1000℃，流速为20～80ml/min，至800～900℃时，流速为5～50ml/min，降至室温在SiO2层表面上制得。本发明WS2制得的压电器件具有优良的压电性能和稳定的动态压电信号，压电输出电流达100～800pA。

关键词