典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究

作者：唐本奇; 张勇; 肖志刚; 黄芳; 王祖军; 黄绍艳; 毛用泽; 王峰

来源：原子能科学技术, 2005, (02): 183-187.

• 光电器件
• 辐射效应
• 数值分析
• 模拟试验 optoelectronic device
• radiation effect
• numerical analysis
• simulation experiment

选取Si太阳电池与线阵CCD器件,进行了光电器件辐射效应的数值分析与模拟试验方法研究。分析了光电器件电离效应和位移损伤机理,利用二维器件模拟软件MEDICI,模拟了1 MeV电子对n/p型硅太阳电池主要输出参数的影响,包括开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax。在一定范围内,计算结果与文献实验数据符合较好。建立了线阵CCD器件辐照效应离线测量系统。利用60 Coγ源,进行了商用器件的总剂量效应试验,给出了暗电流信号和饱和电压信号的变化曲线。

• 出版日期2005
• 单位中国人民解放军防化研究院第二研究所; 西北核技术研究所