SnO_(2)/C_(3)N_(4)二维复合光催化剂制备及其光催化还原性能

作者：崔言娟; 徐红赟; 祝玉鑫; 李雪; 宋艳华

来源：复合材料学报, 2021, 1-10.

DOI：10.13801/j.cnki.fhclxb.20211028.004

• C3N4
• SnO2
• 异质结
• 光解水制氢
• 过氧化氢

可见光响应型二维复合半导体材料是光催化领域研究的重要内容，构建稳定有效的异质结以促进界面电荷传输是二维复合材料研究的关键。将氮化碳纳米片(C3N4)和SnO2纳米片通过煅烧法设计合成面-面堆叠式2D-2D SnO2/C3N4复合半导体。该复合材料保留稳定的C3N4和SnO2的主体结构，同时在界面处形成稳定的异质结。光解水制氢(H2)和活化氧(O2)制过氧化氢(H2O2)的性能测试结果表明，在可见光照射下，SnO2纳米片含量为5wt%的复合样品SnO2/C3N4-5%具有显著提升的制H2活性（54.9 μmol/h），约是C3N4纳米片的2.1倍，且具有良好的活性稳定性；在无牺牲剂和助催化剂条件下，SnO2/C3N4-5%活化O2制H2O2的活性达78.9 μmol/L/h，约是C3N4纳米片的11.9倍。结构表征及电化学测试结果表明，异质结的建立有利于C3N4光生电子向SnO2表面快速转移，抑制了激发电子空穴的复合率，从而大幅提升了光催化还原性能。

• 出版日期2021-10-28
• 单位江苏科技大学; 环境与化学工程学院