低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响

作者：石增良; 刘大力; 闫小龙; 高忠民; 徐经纬; 白石英

来源：发光学报, 2008, (01): 124-128.

• 氧化锌薄膜
• MOCVD
• 低温缓冲层
• XRD
• SEM ZnO thin film
• metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)
• low-temperature grown ZnO buffer layer
• XRD
• SEM

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。

• 出版日期2008
• 单位中国科学院长春应用化学研究所; 吉林大学