Sol-gel法制备SrTiO_3薄膜的电阻开关性能研究

作者：苏朝辉; 张婷; 王继鹏; 张盈; 张伟风

来源：电子元件与材料, 2008, (12): 66-69.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2008.12.021

• 电阻开关
• 交流阻抗谱
• 肖特基发射
• 空间电荷限制电流
• 电子陷阱 resistive switch
• AC impedance spectra
• Schottky emission
• space-charge limited currents (SCLC)
• electron traps

采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能。结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换。最大的电阻变化率约为10309。对I-V特性的分析,发现在高阻态时,有空间电荷限制电流机制(SCLC)和肖特基势垒导电机制存在。应用在高场区有非对称电子陷阱中心的空间电荷限制电流理论,解释了这种电阻开关现象。

• 出版日期2008
• 单位河南大学