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摘要
以低毒的硫酸氧钒为钒源、白钨酸为钨源,采用温和的液相法制备了钨掺杂柠檬酸氧钒铵前驱体;借助溶胶凝胶镀膜技术与500℃、Ar气气氛低温烧结制备了W掺杂VO2涂层。研究发现,涂层中W6+引入及V3+产生有效降低了VO2单斜相向四方相转变所需的热能势垒,同时也使得四方相可以在较低温度下存在。因此,随W掺杂量由0 at.%逐渐增加至5 at.%,涂层相变温度由44.8℃逐渐降低至36.9℃.然而,W掺杂使涂层物相由纯单斜相转变为单斜与四方相共存。涂层中单斜相含量降低导致了其近红外调控能力和太阳能转换效率均呈现单调下降趋势,分别由44.9%和8.5%(无掺杂)降低至12.0%与6.9%(W掺杂量为5 at.%).
- 出版日期2021
- 单位中国科学院西安光学精密机械研究所; 瞬态光学与光子技术国家重点实验室; 太原科技大学
