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Antimony segregation in Ge and formation of n-type selectively doped Ge films in molecular beam epitaxy

作者：Yurasov D V; Antonov A V; Drozdov M N; Schmagin V B; Spirin K E; Novikov A V
来源：Journal of Applied Physics, 2015, 118(14): 145701.
DOI：10.1063/1.4932665
  • 出版日期2015-10-14
  • 单位Russian Academy of Sciences

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更新时间：2019-02-20 16:32