薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系

作者：夏永伟; 王守武

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1990, (12): 962-965.

• 半导体器件和材料
• MOS结构
• 场效应晶体管
• 器件设计 Semiconductor device and Material
• MOS structure
• Field-effect transistors
• design

本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。

• 出版日期1990
• 单位中国科学院半导体研究所