氮氩流量比对磁控溅射TiN薄膜生长织构的影响

作者：田颖萍; 范洪远; 成靖文

来源：表面技术, 2012, (03): 19-21+25.

DOI：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2012.03.012

• 氮氩气压比
• 氮化钛薄膜
• 织构
• 磁控溅射 N2/Ar air pressure
• TiN thin films
• orientation
• magnetron sputtering

采用直流反应磁控溅射法,通过控制氮氩流量比,在Si(111)衬底上沉积了TiN薄膜,并用织构系数来量化TiN薄膜的生长取向。对TiN薄膜的织构、物相组成、形貌进行表征,分析了溅射沉积过程中氮氩流量比对TiN薄膜生长织构的影响,同时还分析了不同织构薄膜的表面及截面形貌。结果表明:氮氩流量比低于1∶30时,薄膜的织构由(200)转变为(111),同时还出现了TiN0.61相;(111)织构的薄膜表面均匀,致密性好,粗糙度小,以氮氩流量比为1∶60时所得织构系数为1.63的(111)薄膜最好。

• 出版日期2012
• 单位四川大学