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摘要
人们预测 ,到 2 0 1 0年 ,以硅材料为核心的当代微电子技术的CMOS逻辑电路图形尺寸将达到 0 .0 5微米或更小。到达这个尺寸后 ,一系列来自器件工作原理和工艺技术自身的物理限制以及制造成本大幅度提高等将成为难以克服的问题。从某种意义上说 ,这就是硅微电子技术的“极限”。为迎接硅微电子技术的“极限”的挑战 ,满足人类社会不断增长的对更大信息量的需求 ,近年来 ,基于低维半导体结构材料的量子力学效应 (如 :量子尺寸效应、量子隧穿、量子相干、库仑阻塞和非线性光学效应等 )的固态纳米电子、光电子器件与电路和基于单分子及大分子结构所特有性质的分子电子学受到了广泛的重视。它们的研究与发展极有...
- 出版日期2000
- 单位中国科学院半导体研究所
