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摘要
本实用新型公开了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。新型金属掺杂ITO透明导电薄膜包括新型金属掺杂ITO薄膜和基底材料,所述新型金属掺杂ITO薄膜与基底材料接触,所述新型金属掺杂ITO薄膜包括掺杂金属薄膜和ITO薄膜,所述掺杂金属薄膜和ITO薄膜通过退火处理键合在一起。本实用新型的透明导电薄膜是通过先生长一层ITO薄膜后生长掺杂金属薄膜,再一起通过高温退火后而形成,得到的透明导电薄膜在ITO透明导电薄膜基础上,具有更大的薄膜光学透过率和更低的薄膜方块电阻；本实用新型在原有设备上不需要引入新的设备,结构简单,因此不会增大工艺难度,同时有利于提高薄膜光电性能。
- 出版日期2018-6-29
- 单位华南理工大学
