薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高

作者：张浩; 张良; 李俊; 蒋雪茵; 张志林; 张建华

来源：发光学报, 2011, (12): 1281-1285.

• 薄膜晶体管
• ZnO
• 稳定性
• 退火 thin-film transistor
• ZnO
• stability
• annealing

制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V。实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。

• 出版日期2011
• 单位上海大学