新型低带隙聚合物结构和性质的理论研究

作者：邓理丹; 李明; 解晓华; 刘彬瑶; 申伟

来源：中国科学:化学 , 2012, (07): 1066-1108.

• 3
• 4-次乙烯二氧噻吩
• 密度泛函理论
• 电子性质
• 带隙
• 导电材料 3
• 4-vinylenedioxythiophene
• DFT
• electronic properties
• band gaps
• conductive materials

本文将3,4-次乙烯二氧噻吩(VDOT)与噻吩并[3,4-b]吡嗪(TP),呋喃并[3,4-b]吡嗪(FP)和6H-吡咯并[3,4-b]吡嗪(PP)组合,获得了一系列3,4-次乙烯二氧噻吩衍生物.采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-31G*理论水平下对其单体、低聚物和聚合物的结构和电子性质进行了深入的理论研究.通过分析键长的变化、中心键性质,Wiberg键级(WBI)以及核独立化学位移,发现随着聚合度的增加物质的共轭性也随之增加.为了了解不同的VDOT与TP、FP、PP比例对电子性质的影响,对V-P比例为1:1、1:2和2:1时的计算结果进行了对比分析,结果表明,V-P比例为1:2化合...

• 出版日期2012
• 单位西南大学