氘在碳钨共沉积层中的滞留行为研究

作者：张文钊; 唐兴华; 李嘉庆; 施立群

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (19): 336-341.

• 氘滞留
• 碳钨共沉积
• 射频磁控溅射 D retention
• carbon-tungsten co-deposition
• magnetron sputtering

运用射频磁控溅射方法,在氘氩混合气氛中制备了含氘碳钨共沉积薄膜.利用离子束分析方法[卢瑟福背散射(RBS)和弹性反冲(ERD)]对薄膜样品的厚度、成分、氘含量等进行了分析;利用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM),分别分析了薄膜的结构和表面形态.离子束分析发现,氘原子更易被碳原子俘获位俘获,并且氘含量会随着沉积温度的升高而降低;其他镀膜条件固定的情况下,不同混合气体压强下薄膜样品中的氘浓度在5.0 Pa处有一个峰值;拉曼光谱分析显示,沉积温度从室温升高到725 K时,碳钨共沉积层中的类石墨化成分增加,同时,非晶化的程度也加剧;扫描电子显微镜图像表明,随着温度的升高薄膜表面被腐蚀的痕迹消失,但是由...

• 出版日期2013
• 单位复旦大学