基于0.13-μm SiGe BiCMOS工艺的W波段T型布局功率放大器设计

作者：黄硕; 程国枭; 康炜; 吴文

来源：微波学报, 2023, 39(S1): 152-155.

• 毫米波集成电路
• 功率放大器
• 锗硅工艺
• T型布局

本文提出了一种在W波段采用0.13-μm SiGe BiCMOS工艺的单端T型结构布局功率放大器。功率放大器由三级组成，每一级采用级联cascode结构设计。匹配链路中采用自主设计的MOM电容取代工艺中的MIM电容，从而减少MIM电容品质因素较低对输出性能的影响。直流偏置采用自适应偏置电路降低输入信号功率的改变对晶体管偏置点的偏移程度。同时，为了减小晶体管布线的寄生效应，版图采用了T型布局。在88GHz到104GHz范围内EM仿真获得了至少18 dB的小信号增益，在94 GHz时达到峰值22.5 dB。同时，仿真得到的峰值功率附加效率和输出参考1 dB压缩点分别为7.6%和14.6 dBm。

• 出版日期2023
• 单位南京理工大学