科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长SiO_2薄膜,通过改变非晶SiO_2薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件,增强对硅片的钝化作用,提高光生少数载流子寿命。实验发现在840℃长的非晶SiO_2薄膜对硅片钝化效果最佳,可将硅片少子寿命提高约90%。此外,为优化SiO_2/SiN_x双层膜的减反射作用,采用Matlab程序计算SiO_2/SiN_x双层膜的反射谱,从理论上获得最优的膜系组合。实验发现生长有SiO_2钝化膜的SiO_2/SiN_x双层膜太阳电池相对单层SiN_x膜太阳电池,短路电流和开路电压分别提高了0.2A和8mV,转换效率提高约9%。
- 出版日期2009
- 单位上海交通大学
