分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性

作者：孙彦方志丹龚政苗振华牛智川

来源：人工晶体学报, 2005, (02): 384-386.

• 量子点
• 应力缓冲层
• 半高宽
• 光致荧光谱 quamtum dot
• stress buffer layer
• FWHM
• photon induced fluorecence specrum

研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1 xAs(x=0. 2, 0. 3 )和3nm的In0. 2Ga0. 8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性。加InAlAs层后PL谱红移到1. 33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV。高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM)。对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大。这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度。同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒...

• 出版日期2005
• 单位中国科学院半导体研究所