采用应变InGaAs覆盖层可以实现GaAs基量子点1.3μm,但是1.55μm GaAs基量子点的制备难度要大得多,需要高In含量的覆盖层和较大的量子点。但是高In量子点容易引起快速降解的非辐射复合中心,影响QD材料的晶体和光学特性。较为系统的研究了长波长多层InAs量子点的MBE生长,优化了生长条件,获得了波长约为1568nm的多层InAs量子点材料。
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