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摘要
本文报道用热分解法在玻璃衬底上制备了Ａｌ和Ｇａ取代的Ｂｉ：ＤＹＩＧ薄膜，对其磁和磁光特性做了详细研究．Ａｌ和Ｇａ取代的薄膜均可获得好的矩形比和高的矫顽力．对于Ｂｉ１．２Ｄｙ１．８Ｆｅ５－ｘＭＸＯ１２（Ｍ＝Ａ１，ＧＺ）薄膜，Ａ１和Ｇ２的最佳替代成份分别为１．０和Ｇ．７；最佳晶化温度分别为７００ｏ℃和６７５℃．在波长５１０ｎｍ附近，法拉第旋转角可达８°／ｕｍ左右．光学吸收和品质因子的研究结果表明，Ａｌ和Ｇａ取代能够影响光学吸收和品质因子，其中Ｇａ取代对光学吸收和品质因子的影响较大．
- 出版日期1994
- 单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院上海光学精密机械研究所
