多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

作者：黄君凯; 郑学仁; 邓婉玲

来源：华南理工大学学报(自然科学版), 2010, (10): 24-29+35.

• 多晶硅
• 薄膜晶体管
• 泄漏电流
• 激活能
• 低频噪声模型 polysilicon
• thin-film transistors
• leakage current
• activation energy
• low-frequency noise model

为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106~5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器.

• 出版日期2010
• 单位华南理工大学; 暨南大学