HfO_2高K栅介质的制备及其电学特性分析

作者：周志祥

来源：硅谷, 2008, (21): 14.

• 高K栅介质
• HfO_2
• 泄漏电流输运机制
• SILC效应

选择HfO_2高K姗介质作为研究对象,利用反应溅射方法制备了HfO_2栅介质薄膜,分析不同的工艺制备条件对其HfO_2栅介质电学性质和可靠性的影响。

• 出版日期2008
• 单位三江学院