单轴应力锗能带结构研究

作者：马建立; 张鹤鸣; 宋建军; 魏群; 王晓艳; 王冠宇; 徐小波

来源：中国科学:物理学 力学 天文学 , 2012, (01): 15-21.

• 单轴应力锗
• 能带结构
• k·p微扰法 uniaxial stressed Germanium
• energy band structure
• k.p perturbation method

用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.

• 出版日期2012
• 单位西安电子科技大学