在二氧化硅刻蚀工艺中,有时为了控制氧化膜的损伤,需要采用低功率刻蚀工艺。文中研究了在低射频功率条件下,通过改变磁场强度、暖机条件及反应气体的组成,对刻蚀均匀度的影响。实验结果表明,在低功率条件下,改变磁场强度和暖机条件对刻蚀均匀度的改变有限,但当向主刻蚀气体中加入氧气后,能较大程度地改变刻蚀均匀度。
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