水平定向凝固法合成砷化镓多晶

作者：金敏; 徐家跃; 谈惠祖; 何庆波

来源：上海应用技术学院学报(自然科学版), 2014, (03): 187-190.

• 砷化镓多晶
• 水平定向凝固法
• 缺陷
• 电学性能 GaAs polycrystalline
• horizontal directional solidification method
• defect
• electrical property

采用水平定向凝固法合成砷化镓多晶,定向凝固炉分为3个温区,砷单质在低温区(约630℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶.石英变形、砷端杂质、多晶表面氧化以及多晶尾端富镓是合成砷化镓多晶过程中易出现的宏观缺陷.通过对原料配方设计、砷蒸气压控制以及炉子降温程序设计等进行优化,成功获得了完整性好且电学性能指标优异的砷化镓多晶.多晶的迁移率在4 800~5 400cm2/(V·s),载流子浓度为1015~1016 cm-3量级,完全满足砷化镓单晶制备要求.

• 出版日期2014
• 单位上海应用技术大学