此文用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,分别研究了本征、掺Cd、掺Sr的Mg2Ge的能带结构、电子态密度和光学性质.研究结果表明,本征Mg2Ge是一种间接带隙半导体,带隙值为0.228eV.Sr的掺入使其变成带隙为0.591 eV的直接带隙半导体,Cd掺杂Mg2Ge后表现出半金属性质.掺杂后的主要吸收峰减小,吸收谱范围增加.在可见光能量范围内,掺杂的Mg2Ge有更低的反射率,对可见光的利用率增强.此外,掺杂还提高了高能区的光电导率.
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