a-SiN_x:H薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究

作者：张娜; 周炳卿; **睿; 路晓翠

来源：激光技术, 2016, (03): 413-416.

• 薄膜
• Si Nx:H
• 光致发光光谱
• 键合结构
• 热丝化学气相沉积 thin films
• SiNx:H
• photoluminescence spectra
• bonding structure
• hot wire chemical vapor deposition

为了研究热丝温度对a-SiN_x:H薄膜性能的影响,采用热丝化学气相沉积法,以Si H4,NH3,H2为反应气源,改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外-可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情况进行表征与分析。从测试情况可知,当热丝温度为1645℃时,H含量最大,N含量最小,同时其折射率最高,薄膜材料的有序度增大;当热丝温度为1713℃时,H含量减少,N含量达到最大,且随着热丝温度增大,薄膜中N含量又开始下降,内部缺陷态密度增加。结果表明,热丝法制备a-SiN_x:H薄膜的热丝温度最佳值在1596℃~1680℃之间,此时所制备的薄膜折射率为2.0,适合...

• 出版日期2016
• 单位内蒙古师范大学