碘化铟晶体本征缺陷的第一性原理研究

作者：张伟; 徐朝鹏; 王海燕; 陈飞鸿; 何畅

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (24): 133-139.

• 碘化铟
• 形成能
• 缺陷能级
• 深空穴陷阱 InI
• formation energy
• defect energy levels
• deep hole trap

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对正交碘化铟(InI)晶体可能存在的6种本征点缺陷(碘空位、铟空位、碘占铟位、铟占碘位、碘间隙、铟间隙)结构进行优化.通过缺陷形成能的计算,得出各缺陷在生长过程中形成的难易程度;通过态密度的计算,分析出各种缺陷能级位置及其对载流子传输的影响.结果表明:最主要的低能缺陷铟间隙会引入复合中心和深空穴陷阱,前者降低少数载流子的寿命,后者俘获价带的空穴而降低空穴的迁移率-寿命积.计算结果为实验中提高InI晶体载流子的迁移率-寿命积提供理论指导,对获得性能优异的InI核辐射探测材料有重要帮助.

• 出版日期2013
• 单位圣路易斯大学; 燕山大学