水平法生长GaAs晶体中位错的产生及其排除机构

来源：稀有金属, 1977, (02): 17-28.

• 水平法
• 籽晶生长
• 成核过程
• 生长界面
• 组分过冷
• 无位错单晶
• 异质成核
• 分凝系数
• 杂质条纹
• 热场

本文讨论水平法生长的GaAs晶体中产生位错的原因,以及位错排除的机构。提出“小晶面控制成核”的机构解释位错的分布特征和选择有利晶向生长利用小晶面效应抑制位错增生的方法。 水平晶体生长中由于应力引入位错的因素有:(1)沾润,(2)不均匀热场和(3)大的沉淀物。其中沾润是主要的。产生“生长”位错的因素有:(1)籽晶中位错的延伸,(2)小晶面效应,(3)组分过冷和(4)异质成核。这些因素除小晶面效应外都是可以控制的。 晶体中位错密度沿轴向分布的规律说明位错有增生和排除两种过程。凹界面和籽晶取向对位错增生有重要影响,而小晶面的位置又起关键作用。用〈110〉晶带的〈311〉等方向生长可以利用小晶面效应控...

• 出版日期1977
• 单位中国科学院半导体研究所