碲镉汞 p~+-on-n长波异质结探测器的研究

作者：叶振华吴俊胡晓宁巫艳王建新李言谨何力

来源：红外与毫米波学报, 2004, (06): 423-426.

• HgCdTe
• p~+-on-n
• 异质结
• R_0A HgCdTe
• p~+-on-n
• hetero-junction
• R_0A

报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率.

• 出版日期2004
• 单位中国科学院上海技术物理研究所