HfO2辅助法制备Si3N4纳米带及其光致发光性质

作者：周小惠; 骆丽杰; 李建保; 陈拥军

来源：硅酸盐通报, 2015, 34(07): 1815-1824.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2015.07.015

• 氮化硅
• 纳米带
• 化学气相沉积
• 光致发光

本文以氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等方法对样品的物相、微观结构进行了表征。结果表明:合成的Si3N4纳米带厚约50 nm,长达数百微米,纯度高且结晶好。纳米带沿α-Si3N4的[201]方向生长,属于气-固(VS)生长机制。Si3N4纳米带在360496 nm范围内具有较强的发射峰,表明所合成的Si3N4纳米带具有优异的光致发光性质,在光电纳米器件中具有潜在的应用前景。

• 出版日期2015
• 单位材料与化工学院; 海南大学; 广西大学; 化学化工学院