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摘要
LED照明系统能够利用太阳能电池作为电力来源。本文对LED芯片材料GaN的光电性质进行了研究，这对提高LED的发光性能具有指导意义，并为后续Al,In共掺杂GaN的相关研究提供了参考依据。构建了理想GaN的计算模型并使用第一性原理计算方法研究了理想GaN材料的电子结构和光学性质。计算结果表明:理想GaN符合直接带隙半导体特征，其带隙值为1.706 e V，且电子的分布还会影响GaN的光吸收特性。随着光吸收系数的增大，光衰减的速率就会变大，对应着光吸收能量增大。
- 出版日期2023
- 单位郑州大学
