梁氏引线开关二极管用硅外延材料

作者：殷海丰

来源：天津科技, 2012, (06): 7-8.

DOI：10.14099/j.cnki.tjkj.2012.06.002

• 外延
• 二极管
• 梁氏引线
• 掺杂

介绍了研制适合梁氏引线开关二极管用的硅外延材料的工艺过程,通过采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度进行精确控制,解决了满足梁氏引线开关二极管用的薄层高阻硅外延材料问题。

• 出版日期2012
• 单位中国电子科技集团公司第四十六研究所