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摘要
本发明公开了一种深紫外LED芯片级封装器件及其制备方法。所述深紫外LED芯片级封装器件包括深紫外LED芯片、侧壁导光结构、石英透镜、透明层；所述深紫外LED芯片为倒装结构,设置于石英透镜镜下方,通过透明层连接深紫外LED芯片和石英透镜；所述侧壁导光结构设置于倒装的深紫外LED芯片外围,侧壁导光结构顶部贴于石英透镜下方。本发明所述的深紫外LED封装器件,不仅出光效率高,产品的耐深紫外的能力及可靠性及使用寿命得以显著提高,而且封装结构简单,有利于降低制备成本；而对于其制备方法,工艺简单易行,适合流水线工作,制备效率高。
- 出版日期2021-10-25
- 单位华南理工大学
