AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性

作者：周忠堂; 郭丽伟; 邢志刚; 丁国建; 谭长林; 吕力; 刘建; 刘新宇; 贾海强; 陈弘; 周均铭

来源：Acta Physica Sinica, 2007, (10): 6013-6018.

• AlGaN/AlN/GaN结构
• 二维电子气
• Shubnikov-de Haas振荡
• 高电子迁移率晶体管 AlGaN/AlN/GaN structure
• two dimensional electron gas
• Shubnikov-de Haas oscillation
• high electron mobility transistor

对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量,测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×104cm2.V-1.s-1和9.3×1012cm-2,且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变,变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下,观察到量子霍尔效应,Shubnikov-de Haas(SdH)振荡在磁场约为3T时出现,证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析,推出量子散射时间为0.23ps,比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长,...

• 出版日期2007
• 单位中国科学院微电子研究所; 中国科学院物理研究所