AlGaN/GaN HEMT电学特性的ATLAS模拟

作者：张子砚

来源：科技风, 2018, (11): 53-54.

DOI：10.19392/j.cnki.1671-7341.201811048

• AlGaN/GaN HEMT
• 2DEG
• 转移特性
• 输出特性

分析了AlGaN/GaN HEMT器件的结构及特性,2DEG的浓度与器件的电学特性的关系。在仿真软件ATLAS上构建器件模型,对器件的转移特性和输出特性进行了模拟仿真,并对仿真结果进行分析。

• 出版日期2018
• 单位贵阳学院