SOI键合材料的TEM研究

作者：王敬屠海令刘安生周旗钢朱悟新张椿

来源：稀有金属, 1998, (04): 35-37.

• 硅片键合
• SOI
• 界面
• 微结构 Silicon wafer bonding
• SOI
• Interface
• Microstructure

用横断面透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了用键合方法获得的ＳＯＩ材料的界面结构。绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀，Ｓｉ膜／ＳｉＯ２以及ＳｉＯ２／Ｓｉ基体的界面平直且结合紧密，在界面上没有观察到缺陷和孔洞。

• 出版日期1998
• 单位北京有色金属研究总院